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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razões a considerar
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
3112
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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