RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
52
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2236
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link