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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
52
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2236
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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