RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2511
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link