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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
60
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
60
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2511
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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