RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
41
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2989
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link