RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2989
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link