RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
56
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2235
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link