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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
56
左右 27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
56
读取速度,GB/s
13.9
18.7
写入速度,GB/s
9.7
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2235
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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