RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
61
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
7.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
4.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
1300
左右 9.85% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
61
读取速度,GB/s
13.9
7.1
写入速度,GB/s
9.7
4.5
内存带宽,mbps
12800
1300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-1300, 1.5V, 1.35V , 1.2X V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2366
1243
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link