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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
16.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
56
读取速度,GB/s
16.7
18.7
写入速度,GB/s
11.8
8.9
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2235
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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