RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
16.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
56
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2235
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link