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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
15.7
写入速度,GB/s
10.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2581
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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