RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2254
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link