RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2254
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link