RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1854
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link