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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
11.8
写入速度,GB/s
8.0
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1854
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM的比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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