RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
76
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
6.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2812
1260
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KX8388-ELG 512MB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link