RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
76
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
76
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2812
1260
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link