Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 15.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 12.0
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 33
    Rund um -3% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 15.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 12.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3134 left arrow 2952
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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