RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3134
2952
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link