RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2952
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link