RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2852
2987
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMV8GX3M1A1333C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link