RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
48
Около -45% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
13.4
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2852
2987
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link