Kingston 9905403-174.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 32

Около 25% меньшая задержка

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.5 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 32
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 20.5
Скорость записи, Гб/сек

9.5 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2222 3379

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

модули RAM

Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

модули RAM