RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
3379
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link