RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
1851
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link