Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 28
    Intorno 14% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 12.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 7.3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.2 left arrow 12.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.5 left arrow 7.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2222 left arrow 1851
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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