RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Сравнить
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
12.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2222
1851
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link