Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    12.8 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 29
    Около -4% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 12.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.4 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2282 left arrow 1851
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения