RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2282
1851
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link