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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2282
1851
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaison des RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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