Comparación de la memoria RAM Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.8 12.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.4 7.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 29

En -4% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2282 1851

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns