RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
3379
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 994104 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link