RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
3495
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link