RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
2981
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link