RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Gesamtnote
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,796.5
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
768
3137
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link