RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,001.3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
58
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,796.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,001.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
768
3137
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link