RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
122
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
122
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
5.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
1411
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link