RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
122
En 47% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
122
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
1411
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link