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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
26
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14200
Rund um 1.35 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
14200
19200
Other
Beschreibung
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2558
3564
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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