RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
29
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
3188
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link