RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2938
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link