Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 25
    Por volta de -9% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17 left arrow 16.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.9 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 17.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 12.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 2938
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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