RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2938
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link