RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2955
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link