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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

総合得点
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.2
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 50
    周辺 -92% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 1,457.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,757.3 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,457.4 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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