Comparación de la memoria RAM takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Puntuación global

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 50

En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.6 1,457.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 6400

En 3.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

557 2955

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns