Comparação RAM takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Pontuação geral

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 50

Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.6 1,457.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 6400

Por volta de 3.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

557 2955

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns