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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2460
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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