RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2460
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link